FMUSER оригинален нов MRF6VP2600H RF транзистор со транзистор MOSFET транзистор 500MHz 600W латерален N-канален широкопојасен-RF транзистор-FMUSER FM / TV емитувач еднонасочен

FMUSER Оригинален нов MRF6VP2600H RF Транзистор за напојување MOSFET Транзистор 500MHz 600W Страничен широк опсег на страничен N-канал MRF6VP2600H е дизајниран првенствено за широкопојасни апликации со фреквенции до 500 MHz. Уредот е неспоредлив и е погоден за употреба во емитувани апликации. Карактеристики * Типична изведба на DVB-T OFDM: VDD = 50 волти, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 вати просечно, f = 225 MHz, ширина на каналот = 7.61 MHz, влезен сигнал PAR = 9.3 dB @ 0.01% Веројатност на CCDF. Добивка на моќност: 25 dB Ефикасност на мозоци: 28.5% ACPR @ 4 MHz Офсет: –61 dBc @ 4 kHz Пропусен опсег * Типична импулсна изведба: VDD = 50 волти, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, Ширина на пулсот = 100

детали

Претходно:FMUSER оригинален нов MRFE6VP61K25H RF енергетски транзистор висока моќност MOSFET транзистор LDMOS за 1000w FM предавател

Следно:FMUSER оригинален нов BLF178XR RF моќност транзистор моќ MOSFET транзистор LDMOS 1400W HF-128MHz

Цена (УСД)	Количина (ЕЕЗ)	Испорака (УСД)	Вкупно (УСД)	метод на испорака	плаќање
245	1	35	280	DHL
				DHL

FMUSER оригинален нов MRF6VP2600H RF моќност транзистор MOSFET Транзистор 500MHz 600W Страничен широк опсег со N-канал

Преглед

MRF6VP2600H е дизајниран првенствено за широкопојасни апликации со фреквенции до 500 MHz. Уредот е неспоредлив и е погоден за употреба во емитувачки апликации.

Карактеристики

* Типична изведба на DVB-T OFDM: VDD = 50 волти, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 вати просечно, f = 225 MHz, ширина на каналот = 7.61 MHz, сигнал за влез PAR = 9.3 dB @ 0.01% Веројатност на CCDF. : 25 dB Ефикасност на мозоци: 28.5% ACPR @ 4 MHz Офсет: –61 dBc @ 4 kHz Ширина на опсег

* Типична импулсна изведба: VDD = 50 волти, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, ширина на пулсот = 100 μsec, циклус на работа = 20% добивка на моќност: 25.3 dB Ефикасност на мозоци: 59%

* Способен за ракување со 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 максимална моќност на Ватс, широчина на пулсот = 100 μsec, работен циклус = 20%

* Се карактеризираат со параметри на големи еквивалентни симетрични серии

* CW способност за работа со соодветно ладење

* Квалификувана работа до максимум 50 VDD

* Интегриран Ди заштита

* Дизајниран за работа со Push-Pull

* Опсежен напонски опсег за поголема негативна порта за подобрена работа со класа C

* RoHS одобрен

* Во касета и ролна. R6 Суфикс = 150 единици по 56 милиметри, 13 инчен Ролна.

спецификација

Фреквенција (мин) (MHz): 2

Фреквенција (Макс) (MHz): 500

Напон на напојување (Typ) (V): 50

P1dB (Typ) (dBm): 57.8

P1dB (Typ) (W): 600

Излезна моќност (Typ) (W) @ Интермодулациско ниво при тест-сигнал: 125.0 @ AVG

Тест сигнал: OFDM

Подобрување на моќноста (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Ефикасност (Typ) (%): 28.5

Термичка отпорност (Spec) (℃ / W): 0.2

Појавување: неспоредлив

Класа: АБ

Умре технологија: LDMOS

Цена (УСД)	Количина (ЕЕЗ)	Испорака (УСД)	Вкупно (УСД)	метод на испорака	плаќање
245	1	35	280	DHL
				DHL

Следно:FMUSER оригинален нов BLF178XR RF моќност транзистор моќ MOSFET транзистор LDMOS 1400W HF-128MHz

Остави порака

Список со пораки

Коментарите се објавуваат ...