FMUSER оригинален нов BLF574XR RF моќност транзистор моќ MOSFET транзистор LDMOS 600W HF-500MHz 50V-RF транзистор-FMUSER FM / TV емитувач еднонасочен снабдувач

FMUSER Оригинален нов BLF574XR RF Power Transistor Power MOSFET Transistor LDMOS 600W HF-500MHz 50V Преглед BLF574XR, 600W исклучително груб LDMOS енергетски транзистор за емитување и индустриски апликации во опсег HF до 500 MHz. Овој производ е подобрена верзија на BLF574 со користење на XR процес за да се обезбеди максимална можност за грубост во најтешките апликации без да се нарушат RF-перформансите. Карактеристики * Лесна контрола на напојувањето * Интегрирана заштита од ESD * Одлична грубост * Висока ефикасност * Одлична термичка стабилност * Наменета за широкопојасна работа (HF до 500 MHz) * Во согласност со Директивата 2002/95 / EC, во врска со ограничувањето на опасните материи (RoHS) Описи Категории : Дискретни полупроводнички производи,

детали

Претходно:FMUSER оригинален нов BLF574 RF моќност транзистор моќ MOSFET транзистор LDMOS 600W HF-500MHz 50V

Следно:FMUSER оригинален нов BLF183XR RF моќност транзистор моќ MOSFET транзистор LDMOS 350W HF-600MHz 50V

Цена (УСД)	Количина (ЕЕЗ)	Испорака (УСД)	Вкупно (УСД)	метод на испорака	плаќање
187	1	35	222	DHL
				DHL

FMUSER оригинален нов BLF574XR RF моќност транзистор моќ MOSFET транзистор LDMOS 600W HF-500MHz 50V

Преглед
BLF574XR, исклучително груб LDMOS енергетски транзистор од 600W за емитување и индустриски апликации во опсег HF до 500 MHz. Овој производ е подобрена верзија на BLF574 со користење на XR процес за да се обезбеди максимална можност за грубост во најтешките апликации без да се нарушат RF-перформансите.

Карактеристики
* Лесна контрола на моќноста
* Интегрирана заштита од ООР
* Одлично несигурност
* Висока ефикасност
* Одлична термичка стабилност
* Дизајниран за работа со широкопојасен интернет (HF до 500 MHz)
* Во согласност со Директивата 2002 / 95 / EC, во врска со ограничувањето на опасните супстанции (RoHS)

Опис
Категории: Дискретни полупроводнички производи, Транзистори - FETs, MOSFETs - RF
Производител: Ampleon USA Inc.
Пакување: фиока
Статус на дел: активен
Тип на транзистор: LDMOS (двоен), заеднички извор
Фреквенција: 225MHz
Усилване: 23.5dB
Напон - Тест: 50V
Струја - Тест: 100mA
Излезна моќност: 600W
Напон - Номинална вредност: 110V

апликации
1. Индустриски, научни и медицински апликации
2. Апликации за пренос на емитување