FMUSER Оригинален нов MRFE6VP5600H RF Транзистор со моќност MOSFET Транзистор за 600w FM предавател-RF Транзистор-RF транзистор-FMUSER FM / ТВ Едношалтерски добавувач

FMUSER Original New MRFE6VP5600H RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Power 600T FM Transmitter Преглед: Овие уреди со висока цврстина, MRFE6VP5600HR6 and MRFE6VP5600HSR6, се дизајнирани за употреба во високи VSWR индустриски (вклучително и ласерски и плазма и дигитални ексцитатори) радио / копнени мобилни апликации. Тие се неспоредливи дизајни за влез и излез што овозможуваат широк опсег на употреба, помеѓу 1.8 и 600 MHz. Карактеристики: * Неспоредлив влез и излез што овозможува користење на опсегот на широк фреквенција. * Уредот може да се користи единечно или во конфигурација на притискање-повлекување. * Квалификувана работа до максимум 50 VDD. * Карактер

детали

Претходно:FMUSER Оригинален нов SD2931-11 RF Транзистор со моќност Транзистор со голема моќност 20V MOSFET Транзистор

Следно:FMUSER Оригинален нов SD2942 N-Channel 350W излез RF енергетски транзистор RF MOSFET транзистори RF транзистор

Цена (УСД)	Количина (ЕЕЗ)	Испорака (УСД)	Вкупно (УСД)	метод на испорака	плаќање
265	1	35	300	DHL
				DHL

FMUSER Оригинален нов MRFE6VP5600H RF Транзистор со моќност MOSFET Транзистор за 600w FM предавател

Преглед:

Овие уреди со голема цврстина, MRFE6VP5600HR6 и MRFE6VP5600HSR6, се дизајнирани за употреба во индустриски високи VSWR (вклучително и ласерски и плазма ексцитатори), емитувани (аналогни и дигитални), воздушни и радио / копнени мобилни апликации. Тие се неспоредливи влезни и излезни дизајни кои овозможуваат користење на широк опсег на фреквенција, помеѓу 1.8 и 600 MHz.

карактеристики:
* Неспоредлив влез и излез дозволувајќи користење на широк опсег на фреквенција.
* Уредот може да се користи единечен или во конфигурација на влечење.
* Квалификуван до максимумm од 50 VDD Операција.
* Карактеризирано од 30 V до 50 V за продолжен опсег на моќност.
* Погодно е за линеарно нанесување со соодветно пристрасност.
* Интегрирана заштита на ESD со поширок негативен опсег на напон на портата за подобрена операција на класа Ц.
* Карактеризирано со серијали еквивалентни параметри на голема импедантна импеданса.
* RoHS-согласност.
* Во касета и ролна. R6 Суфикс = единици 150, ширина на лента 56 mm, инчен касета 13.
* Овие производи се вклучени во нашата програма за долговечност со обезбедено снабдување за минимум 15 години по лансирањето.

Клучни параметри:

Фреквенција (мин) (MHz)	1.8
Фреквенција (Макс) (MHz)	600
Напон на напојување (Тип) (V)	50
P1dB (Тип) (dBm)	57.8
P1dB (Тип) (Ш)	600
Излезна моќност (Тип) (W) @ Ниво на интермодулација на сигнален тест	600.0 @ CW
Тест сигнал	1-тон
Добивка на електрична енергија (Тип) (dB) @ f (MHz)	24.6 @ 230
Ефикасност (Тип) (%)	75.2
Топлинска отпорност (Spec) (℃ / W)	0.12
Класа	AB
Појавување на	неспоредлив
Умирање технологија	LDMOS

Табела за перформанси на РФ:
Теснопојасен 230 MHz
Типична изведба: VDD = 50 Волти, IDQ = 100 mA

Тип на сигнал	Пит (W)	f (MHz)	GPS (dB)	ηD (%)	IRL (dB)
Пулс (100 μsec, 20% должен циклус)	600 врв	230	25.0	74.6	-18
CW	600 ден	230	24.6	75.2	-17