FMUSER MRFE6VP5150N RF Power LDMOS Транзистори Висока цврстина N - Подобрување на каналот - Режим Латерални MOSFETs Транзистор-RF Транзистор-RF транзистор-FMUSER FM / ТВ-понудувач Едношалтерски производи

FMUSER MRFE6VP5150N RF Power LDMOS Транзистори Висока грубост режим на засилување N - канал Странични MOSFETs Транзистор Опис Овие уреди со висока цврстина се дизајнирани за употреба во високо индустриски VSWR (вклучително и ласерски и плазматски побудувачи), емитување (аналогни и дигитални), воздушна и радио / копно мобилни апликации. Тие се неспоредливи дизајни за влез и излез што овозможуваат широк опсег на употреба, помеѓу 1.8 и 600 MHz. Типична изведба: VDD = 50 Vdc Параметар Вредност ● Фреквенција (Мин) (MHz): 1.8 ● Фреквенција (Макс) (MHz): 600 ● Напон на напојување (Тип) (V): 50 ● P1dB (Тип) (dBm): 51.8 ● P1dB (Тип) (Ш): 150 ● Излезна моќност (Тип) (Ш) @ Ниво на интермодулација при сигнален сигнал: CW @

детали

Претходно:FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-канален MOS поле-ефект, Широкопојасен RF, Транзистор со ефект на поле,

Следно:FMUSER Оригинален BLF888A 600W 50V UHF Моќ LDMOS RF Моќен транзистор

Цена (УСД)	Количина (ЕЕЗ)	Испорака (УСД)	Вкупно (УСД)	метод на испорака	плаќање
126	1	0	126	DHL
				DHL

FMUSER MRFE6VP5150N RF Power LDMOS Транзистори Висока грубост N - Режим на подобрување на каналот, Латерален MOSFET Транзистор

Опис

Овие уреди со висока цврстина се дизајнирани за употреба во висок VSWR индустриски (вклучувајќи ласерски и плазма ексцитатори), емитувани (аналогни и дигитални), воздушни и радио / копнени мобилни апликации. Тие се неспоредлив влез и излезни дизајни кои овозможуваат широко користење фреквентен опсег, помеѓу 1.8 и 600 MHz.

Типична изведба: VDD = 50 Vdc

Параметар Вредност
Qu Фреквенција (мин) (MHz): 1.8
● Фреквенција (Макс) (MHz): 600
● Напон на напојување (Тип) (V): 50
● P1dB (Тип) (dBm): 51.8
● P1dB (Тип) (W): 150
● Излезна моќност (Тип) (W) @ Ниво на интермодулација на сигнален тест: CW @ 150.0
● Тест сигнал: CW
● Добивка на електрична енергија (Тип) (dB) @ f (MHz): 230 @ 26.3
● Ефикасност (Тип) (%): 72
● Топлинска отпорност (Spec) (℃ / W): 0.21
● Усогласеност: неспоредлив
● Класа: AB
● Умирање технологија: LDMOS